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  Sb-doping induced order to disorder transition enhances the thermal stability of NbCoSn1-xSbx half-Heusler semiconductors

Jung, C., Jang, K., Zhang, S., Bueno Villoro, R., Choi, P.-P., & Scheu, C. (2023). Sb-doping induced order to disorder transition enhances the thermal stability of NbCoSn1-xSbx half-Heusler semiconductors. Talk presented at The 20th International Microscopy Congress, PS-07.2. Microscopy of Semiconductor Materials and Devices. Busan, Republic of Korea. 2023-09-10 - 2023-09-15.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-433D-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-433E-2
Genre: Vortrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Jung, Chanwon1, Autor           
Jang, Kyuseon2, Autor
Zhang, Siyuan1, Autor           
Bueno Villoro, Ruben1, Autor           
Choi, Pyuck-Pa2, Autor           
Scheu, Christina1, Autor           
Affiliations:
1Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_2054294              
2Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 34141, Korea, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2023-09-13
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: The 20th International Microscopy Congress, PS-07.2. Microscopy of Semiconductor Materials and Devices
Veranstaltungsort: Busan, Republic of Korea
Start-/Enddatum: 2023-09-10 - 2023-09-15

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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