Ab initio study of transition-metal silicide films on Si(001)

Wu, Hua; Kratzer, Peter; Scheffler, Matthias

doi:10.1063/1.1994113

Ab initio study of transition-metal silicide films on Si(001)

Wu, H., Kratzer, P., & Scheffler, M. (2005). Ab initio study of transition-metal silicide films on Si(001). In J., Menendez, & C., Van de Walle (Eds.), Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors (pp. 311-312). USA: American Institute of Physics.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-0870-7 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0006-39AA-B

資料種別: 会議論文

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Wu, Hua¹, 著者
Kratzer, Peter¹, 著者
Scheffler, Matthias¹, 著者

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1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

内容説明

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言語: eng - English

日付: 出版: 2005-06

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 226307
DOI: 10.1063/1.1994113

学位: -

訴訟

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出版物 1

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出版物名: Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors

種別: 会議論文集

著者・編者:
Menendez, J., 編集者
Van de Walle, C.G., 編集者

所属:
-

出版社, 出版地: USA : American Institute of Physics

ページ: - 巻号: - 通巻号: - 開始・終了ページ: 311 - 312 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

出版物 2

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出版物名: AIP Conference Proceedings

種別: 連載記事

著者・編者:

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 772 通巻号: - 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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