Strain induced deep electronic states around threading dislocations in GaN

Lymperakis, Liverios; Neugebauer, Jörg; Albrecht, M.; Remmele, T.; Strunk, H. P.

doi:10.1103/PhysRevLett.93.196401

Strain induced deep electronic states around threading dislocations in GaN

Lymperakis, L., Neugebauer, J., Albrecht, M., Remmele, T., & Strunk, H. P. (2004). Strain induced deep electronic states around threading dislocations in GaN. Physical Review Letters, 93(19):. doi:10.1103/PhysRevLett.93.196401.

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資料種別: 学術論文

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著作権日付:
2004

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APS

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Lymperakis, Liverios¹, 著者
Neugebauer, Jörg¹, 著者
Albrecht, M., 著者
Remmele, T., 著者
Strunk, H. P., 著者

所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

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言語: eng - English

日付: 出版: 2004-11-01

出版の状態: 出版

ページ: -

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査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 41746
DOI: 10.1103/PhysRevLett.93.196401

学位: -

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出版物名: Physical Review Letters

その他 : Phys. Rev. Lett.

種別: 学術雑誌

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所属:

出版社, 出版地: Woodbury, N.Y., etc. : American Physical Society.

ページ: - 巻号: 93 (19) 通巻号: 196401 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0031-9007
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406

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