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  Energetics of InAs thin films and islands on the GaAs(001) substrate

Wang, L. G., Kratzer, P., & Scheffler, M. (2000). Energetics of InAs thin films and islands on the GaAs(001) substrate. Japanese Journal of Applied Physics, 39, 4298-4301.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1B85-F Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1B86-D
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Wang, L. G.1, Autor           
Kratzer, Peter1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2483
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Japanese Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : Jpn. J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 39 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 4298 - 4301 Identifikator: -