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  Surface structures and growth kinetics of InGaN(0001) grown by molecular beam epitaxy

Chen, H., Feenstra, R. M., Northrup, J., Zywietz, T. K., Neugebauer, J., & Greve, D. W. (2000). Surface structures and growth kinetics of InGaN(0001) grown by molecular beam epitaxy. Journal of Vacuum Science and Technology B, 18(4), 2284-2289. doi:10.1116/1.1306296.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1B8B-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0005-E0AE-A
Genre: Zeitschriftenartikel

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1.1306296.pdf (Verlagsversion), 251KB
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https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0005-E0AD-B
Name:
1.1306296.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
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Copyright Datum:
2000
Copyright Info:
AIP
Lizenz:
-

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Urheber

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 Urheber:
Chen, H., Autor
Feenstra, R. M., Autor
Northrup, J., Autor
Zywietz, Tosja K.1, Autor           
Neugebauer, Jörg1, Autor           
Greve, D. W., Autor
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000-04-062000-05-262000-08-02
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 6
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2463
DOI: 10.1116/1.1306296
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Vacuum Science and Technology B
  Andere : JVST B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York : Published by AVS through the American Institute of Physics
Seiten: 6 Band / Heft: 18 (4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2284 - 2289 Identifikator: ISSN: 0734-2101
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928495416