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  GaAs(001) surface under conditions of low As pressure: Evidence for a novel surface geometry

Lee, S.-H., Moritz, W., & Scheffler, M. (2000). GaAs(001) surface under conditions of low As pressure: Evidence for a novel surface geometry. Physical Review Letters, 85(18), 3890-3893. doi:10.1103/PhysRevLett.85.3890.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

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:
PRL-85-3890-2000.pdf (beliebiger Volltext), 410KB
Name:
PRL-85-3890-2000.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
2000
Copyright Info:
APS
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Lee, Sung-Hong, Autor
Moritz, W., Autor
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000-10-30
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 4
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2472
DOI: 10.1103/PhysRevLett.85.3890
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
  Kurztitel : Phys. Rev. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, N.Y. : American Physical Society
Seiten: 4 Band / Heft: 85 (18) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 3890 - 3893 Identifikator: ISSN: 0031-9007
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406_1