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  Phase stability and segregation of In_xGa_1-xN alloys

Grosse, F., Neugebauer, J., & Scheffler, M. (1999). Phase stability and segregation of In_xGa_1-xN alloys. In G. David (Ed.), Proceedings 24th International Conference on the Physics of Semiconductors 1999. Singapore: World Scientific.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1D81-D Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-D1FD-E
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Grosse, F.1, Autor           
Neugebauer, Jörg1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1999
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: XXVII, 301
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2419
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: International Conference on the Physics of Semiconductors 1999
Veranstaltungsort: Jerusalem
Start-/Enddatum: 1998-08-02 - 1998-08-07

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proceedings 24th International Conference on the Physics of Semiconductors 1999
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
David, Gershoni., Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: Singapore : World Scientific
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -