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  Doping of Al_xGa_1-xN alloys

Stampfl, C., Neugebauer, J., & Van de Walle, C. G. (1999). Doping of Al_xGa_1-xN alloys. Materials Science and Engineering B, 59(1-3), 253-257. doi:10.1016/S0921-5107(98)00347-X.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1DB9-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-6D66-D
Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

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:
Mat-Sci-Eng-B-59-253-1999.pdf (beliebiger Volltext), 109KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
Mat-Sci-Eng-B-59-253-1999.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
1999
Copyright Info:
Elsevier
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Stampfl, Catherine1, Autor           
Neugebauer, Jörg1, Autor           
Van de Walle, Chris G., Autor
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1999-05-06
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 5
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2446
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00347-X
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science and Engineering B
  Andere : Mater. Sci. Eng. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Lausanne, Switzerland : Elsevier
Seiten: 5 Band / Heft: 59 (1-3) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 253 - 257 Identifikator: ISSN: 0921-5107
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928498465