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  The equilibrium shape of InAs quantum dots grown on a GaAs(001) substrate

Pehlke, E., Moll, N., & Scheffler, M. (1996). The equilibrium shape of InAs quantum dots grown on a GaAs(001) substrate. In R. Zimmermann (Ed.), 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors (pp. 1301-1304). Singapore: World Scientific.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1FE7-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1FE7-8
Genre: Konferenzbeitrag

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2311.pdf (Preprint), 107KB
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https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1FE6-A
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2311.pdf
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arXiv:mtrl-th/9607012v1
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9607012.tar.gz (beliebiger Volltext), 12KB
 
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Privat
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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Pehlke, Eckard1, Autor           
Moll, Nikolaj1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1996
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2311
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: International Conference on the Physics of Semiconductors
Veranstaltungsort: Berlin, Germany
Start-/Enddatum: 1996-07-21 - 1996-07-26

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Zimmermann, R., Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: Singapore : World Scientific
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1301 - 1304 Identifikator: ISBN: 981-022777-9