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  Alkali adsorption on GaAs(110): atomic structure, electronic states and surface dipoles

Bechstedt, F., & Scheffler, M. (1993). Alkali adsorption on GaAs(110): atomic structure, electronic states and surface dipoles. Surface Science Reports, 18(5-6), 145-198. doi:10.1016/0167-5729(93)90001-6.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-215C-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0008-18D4-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Bechstedt, F., Autor
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1993
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2144
DOI: 10.1016/0167-5729(93)90001-6
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Surface Science Reports
  Andere : Surf. Sci. Rep.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Amsterdam : North-Holland
Seiten: - Band / Heft: 18 (5-6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 145 - 198 Identifikator: ISSN: 0167-5729
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925482653