Formation energies and abundances of intrinsic point defects at the 
GaAs/AlAs(100) interface

Heinemann, Martina; Scheffler, Matthias

doi:10.1016/0169-4332(92)90312-L

Formation energies and abundances of intrinsic point defects at the GaAs/AlAs(100) interface

Heinemann, M., & Scheffler, M. (1992). Formation energies and abundances of intrinsic point defects at the GaAs/AlAs(100) interface. Applied Surface Science, 56-58, 628-631. doi:10.1016/0169-4332(92)90312-L.

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資料種別: 学術論文

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著作権日付:
1992

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Elsevier

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Heinemann, Martina¹, 著者
Scheffler, Matthias¹, 著者

所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

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言語: eng - English

日付: 出版: 1992

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査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1016/0169-4332(92)90312-L

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出版物名: Applied Surface Science

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: Amsterdam : Elsevier B.V.

ページ: - 巻号: 56-58 通巻号: - 開始・終了ページ: 628 - 631 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0169-4332
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928576736

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