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  Calculated atomic structures and electronic properties of GaP, InP, GaAs and InAs(110) surfaces

Alves, J. L. A., Hebenstreit, J., & Scheffler, M. (1991). Calculated atomic structures and electronic properties of GaP, InP, GaAs and InAs(110) surfaces. Physical Review B, 44(12), 6188-6198. doi:10.1103/PhysRevB.44.6188.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel

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:
PRB-44-6188-1991.pdf (beliebiger Volltext), 3MB
Name:
PRB-44-6188-1991.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
1991
Copyright Info:
APS
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Alves, José Luiz A.1, Autor           
Hebenstreit, J.1, Autor           
Scheffler, M.1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1991
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2097
DOI: 10.1103/PhysRevB.44.6188
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Kurztitel : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, NY : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 44 (12) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 6188 - 6198 Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008