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  The isolated arsenic antisite defect in GaAs and the properties of EL2

Dabrowski, J., & Scheffler, M. (1989). The isolated arsenic antisite defect in GaAs and the properties of EL2. Physical Review B, 40, 10391-10401.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-231A-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-231A-2
Genre: Zeitschriftenartikel

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PRB-40-10391-1989.pdf (beliebiger Volltext), 3MB
 
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PRB-40-10391-1989.pdf
Beschreibung:
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OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
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Copyright Datum:
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Copyright Info:
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Lizenz:
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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Dabrowski, J.1, Autor
Scheffler, M.2, Autor           
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1989
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2909
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
Genre der Quelle: Zeitschrift
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 40 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 10391 - 10401 Identifikator: -