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  Electronic structure calculation of 3d and 4d transition metal point defects in silicon

Beeler, F., Andersen, O. K., & Scheffler, M. (1987). Electronic structure calculation of 3d and 4d transition metal point defects in silicon. Proc. 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, 875-878.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-233B-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-233C-5
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Beeler, F.1, Autor
Andersen, O. K., Autor
Scheffler, M.2, Autor           
Engstroem, O., Herausgeber
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1987
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2888
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proc. 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 875 - 878 Identifikator: -