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  Tractable approach for calculating lattice distortions around simple defects in semiconductors: Application to the single donor Ge in GaP

Scheffler, M., Vigneron, J. P., & Bachelet, G. B. (1982). Tractable approach for calculating lattice distortions around simple defects in semiconductors: Application to the single donor Ge in GaP. Physical Review Letters, 49, 1765-1768.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2379-E Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2379-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

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:
PRL-49-1765-1982.pdf (beliebiger Volltext), 710KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
PRL-49-1765-1982.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Scheffler, M.1, Autor           
Vigneron, J. P., Autor
Bachelet, G. B., Autor
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1982
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2843
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 49 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1765 - 1768 Identifikator: -