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  Electronic structure of deep sp-bonded impurities in silicon

Bernholc, J., Lipari, N. O., Pantelides, S. T., & Scheffler, M. (1982). Electronic structure of deep sp-bonded impurities in silicon. Physical Review B, 26(10), 5706-5715. doi:10.1103/PhysRevB.26.5706.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-237B-A Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0006-9CAE-7
Genre: Zeitschriftenartikel

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:
PRB-26-5706-1982.pdf (beliebiger Volltext), 2MB
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Datei-Permalink:
https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0006-9CAF-6
Name:
PRB-26-5706-1982.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Öffnen
Copyright Datum:
1982
Copyright Info:
APS
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Bernholc, J., Autor
Lipari, N. O., Autor
Pantelides, Sokrates T., Autor
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1982
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2841
DOI: 10.1103/PhysRevB.26.5706
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Kurztitel : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, NY : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 26 (10) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 5706 - 5715 Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008