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  Electronic properties of strained bonds in amorphous silicon: The origin of the band-tail states

Schweitzer, L., & Scheffler, M. (n.d.). Electronic properties of strained bonds in amorphous silicon: The origin of the band-tail states. Proc. Optical Effects in Amorphous Semiconductors, 1984, 379-385.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-23B5-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-23B6-4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schweitzer, L.1, Autor
Scheffler, M.2, Autor           
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum:
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2876
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proc. Optical Effects in Amorphous Semiconductors
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 1984 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 379 - 385 Identifikator: -