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  Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung

Pahlke, A. (2004). Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung. PhD Thesis, Technische Universität, München.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-E0BC-E Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-E0BD-C
Genre: Hochschulschrift

Dateien

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:
pahlke.pdf (beliebiger Volltext), 7MB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
pahlke.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Pahlke, Andreas1, Autor           
Affiliations:
1High Energy Astrophysics, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society, ou_159890              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): deu - German
 Datum: 2004-02-03
 Publikationsstatus: Angenommen
 Seiten: 183 S.
 Ort, Verlag, Ausgabe: München : Technische Universität
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 213151
Anderer: AL 04/765
URI: http://tumb1.biblio.tu-muenchen.de/publ/diss/ph/2004/pahlke.html
 Art des Abschluß: Doktorarbeit

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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