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  Effects of deep n-implants on the electrons' transport in silicon drift detectors

Castoldi, A., Guazzoni, C., & Strüder, L. (2002). Effects of deep n-implants on the electrons' transport in silicon drift detectors. IEEE Transactions on Nuclear Science, 49(3), 1055-1058.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-EA4D-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-EA4E-9
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Castoldi, Andrea, Autor
Guazzoni, Chiara, Autor
Strüder, Lothar1, Autor           
Affiliations:
1High Energy Astrophysics, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society, ou_159890              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2002-06
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 15067
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: IEEE Transactions on Nuclear Science
  Alternativer Titel : IEEE Trans. Nucl. Sci.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 49 (3) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1055 - 1058 Identifikator: -