Activation Energies for Diffusion of Defects in Silicon: The Role of the 
Exchange-Correlation Functional

Estreicher, Stefan K.; Backlund, Daniel J.; Carbogno, Christian; Scheffler, Matthias

doi:DOI: 10.1002/anie.201100733

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Activation Energies for Diffusion of Defects in Silicon: The Role of the Exchange-Correlation Functional

MPG-Autoren

/persons/resource/persons21413

Carbogno, Christian
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

/persons/resource/persons22064

Scheffler, Matthias
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Estreicher, S. K., Backlund, D. J., Carbogno, C., & Scheffler, M. (2011). Activation Energies for Diffusion of Defects in Silicon: The Role of the Exchange-Correlation Functional. Angewandte Chemie International Edition, 50(43), 10221-10225. doi:DOI: 10.1002/anie.201100733.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-3F8D-2

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