Diffusion of implanted 195Au radiotracer atoms in amorphous silicon under 
irradiation with 1 MeV-N+ ions

Voss, T.; Scharwaechter, P.; Frank, W.

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Konferenzbeitrag

Diffusion of implanted ¹⁹⁵Au radiotracer atoms in amorphous silicon under irradiation with 1 MeV-N⁺ ions

MPG-Autoren

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Voss, T.
Dept. Theory of Inhomogeneous Condensed Matter, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Frank, W.
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Voss, T., Scharwaechter, P., & Frank, W. (2001). Diffusion of implanted ¹⁹⁵Au radiotracer atoms in amorphous silicon under irradiation with 1 MeV-N⁺ ions. In Y. Limoge (Ed.), Proceedings of DIMAT 2000, the Fifth International Conference on Diffusion in Materials (pp. 659-665). Uetikon-Zürich: Scitec Publications Ltd.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-35E9-1

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