Effect of layer-by-Layer electrostatic assemblies on the surface potential and 
current voltage characteristic of metal-insulator-semiconductor structures

Gorin, D. A.; Yashchenok, A. M.; Manturov, A. O.; Kolesnikova, T. A.; Möhwald, H.

doi:10.1021/la901379d

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Effect of layer-by-Layer electrostatic assemblies on the surface potential and current voltage characteristic of metal-insulator-semiconductor structures

MPG-Autoren

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Gorin, D. A.
Grenzflächen, Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Max Planck Society;

/persons/resource/persons121654

Möhwald, H.
Helmuth Möhwald, Grenzflächen, Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Max Planck Society;

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Zitation

Gorin, D. A., Yashchenok, A. M., Manturov, A. O., Kolesnikova, T. A., & Möhwald, H. (2009). Effect of layer-by-Layer electrostatic assemblies on the surface potential and current voltage characteristic of metal-insulator-semiconductor structures. Langmuir, 25(21), 12529-12534. doi:10.1021/la901379d.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0015-4EC1-5

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