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Zeitschriftenartikel

Theoretical modeling of growth processes, extended defects, and electronic properties of III-nitride semiconductor nanostructures

MPG-Autoren
/persons/resource/persons125262

Lymperakis,  L.
Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons125180

Hickel,  T.
Computational Phase Studies, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons125293

Neugebauer,  J.
Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Lymperakis, L., Abu-Farsakh, H., Marquardt, O., Hickel, T., & Neugebauer, J. (2011). Theoretical modeling of growth processes, extended defects, and electronic properties of III-nitride semiconductor nanostructures. Physica Status Solidi B, 248(8), 1837-1852. doi:10.1002/pssb.201046511.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-30A9-2
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