A Detailed Investigation of Native and Light-induced Defects in Hydrogenated 
Amorphous Silicon by Electron-spin Resonance

Fehr, M.; Schnegg, A.; Teutloff, C.; Bittl, R.; Astakhov, O.; Finger, F.; Pfanner, G.; Freysoldt, C.; Neugebauer, J.; Rech, B.; Lips, K.

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Vortrag

A Detailed Investigation of Native and Light-induced Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by Electron-spin Resonance

MPG-Autoren

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Pfanner, G.
Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Freysoldt, C.
Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons125293

Neugebauer, J.
Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Fehr, M., Schnegg, A., Teutloff, C., Bittl, R., Astakhov, O., Finger, F., et al. (2011). A Detailed Investigation of Native and Light-induced Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by Electron-spin Resonance. Talk presented at MRS Spring Meeting and Exhibit 2011. San Francisco, CA, USA. 2011-04-26.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-3234-7

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