BiGaIn2S6 – Synthese, Struktur und Eigenschaften

Kalpen, Heiko; Grin, Yuri; von Schnering, Hans Georg

doi:10.1002/(SICI)1521-3749(199810)624:10<1611::AID-ZAAC1611>3.0.CO;2-9

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BiGaIn₂S₆ – Synthese, Struktur und Eigenschaften

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Kalpen, H., Grin, Y., & von Schnering, H. G. (1998). BiGaIn₂S₆ – Synthese, Struktur und Eigenschaften. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie, 624(10), 1611-1616. doi:10.1002/(SICI)1521-3749(199810)624:10<1611:AID-ZAAC1611>3.0.CO;2-9.

Cite as: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-B233-1

Abstract

Im quaternären System Bi–Ga–In–S wurde die neue Verbindung BiGaIn2S6 in Form rot-transparenter Plättchen erhalten. Sie besitzt eine Phasenbreite zwischen BiGa1In2S6 und BiGa0.8In2.2S6. Die Verbindung ist ein Halbleiter mit Eg(opt.) = 1.9 eV. – BiGaIn2S6 kristallisiert monoklin in einem neuen Strukturtyp (a = 1112.0 pm, b = 380.6 pm, c = 1228.0 pm, β = 116.30°, Z = 2, Raumgruppe P21/m, Nr. 11). In stark gewellten 2 D-Fragmenten von (hc)2-Kugelpackungen der S-Atome besetzen die In-Atome Oktaederlücken (d(In–S) = 262 pm) und die Ga-Atome Tetraederlücken (d(Ga–S) = 234 pm) im Inneren der 2 D-Schichten. Die Bi-Atome an der Spitze von trigonalen BiS3-Pyramiden (d(Bi–S) = 265 pm) liegen auf der Peripherie der Schichten und werden zusätzlich von vier weit entfernten S-Liganden aus der benachbarten Schicht koordiniert (d(Bi–S) = 319 pm). – Die Bindungsverhältnisse eines BiIII-Sulfids werden erstmals mit Hilfe der Elektronen-Lokalisierungs-Funktion (ELF) analysiert.