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Zeitschriftenartikel

Origins of electrostatic potential wells at dislocations in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films

MPG-Autoren
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Dietrich,  Jens
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany , Technische Universität Berlin, Einsteinufer 19, 10587 Berlin, Germany;
Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Abou-Ras,  Daniel
Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons138376

Schmidt,  Sebastian S.
Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons138379

Rissom,  T.
Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons138382

Unold,  Thomas
Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons125090

Cojocaru-Mirédin,  Oana
Interface Design in Solar Cells, Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Dietrich, J., Abou-Ras, D., Schmidt, S. S., Rissom, T., Unold, T., Cojocaru-Mirédin, O., et al. (2014). Origins of electrostatic potential wells at dislocations in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films. Journal of Applied Physics, 115(10): 103507. doi:10.1063/1.4867398.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-926D-2
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