Mechanisms of layer growth in microwave-PECVD silan plasmas – Experiment and 
simulation

Ramisch, E.; Mutzke, A.; Schneider, R.; Stroth, U.

doi:10.1016/j.nimb.2013.09.013

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Zeitschriftenartikel

Mechanisms of layer growth in microwave-PECVD silan plasmas – Experiment and simulation

MPG-Autoren

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Mutzke, A.
Stellarator Theory (ST), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Stroth, U.
Plasma Edge and Wall (E2M), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Zitation

Ramisch, E., Mutzke, A., Schneider, R., & Stroth, U. (2013). Mechanisms of layer growth in microwave-PECVD silan plasmas – Experiment and simulation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 316, 249-256. doi:10.1016/j.nimb.2013.09.013.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0026-E293-8

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