Modeling of altered layer formation during reactive ion etching of GaAs

Mutzke, A.; Rai, A.; Schneider, R.; Angelin, E.; Hippler, R.

doi:10.1016/j.apsusc.2012.09.123

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Modeling of altered layer formation during reactive ion etching of GaAs

MPG-Autoren

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Mutzke, A.
Stellarator Theory (ST), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Rai, A.
Stellarator Theory (ST), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Zitation

Mutzke, A., Rai, A., Schneider, R., Angelin, E., & Hippler, R. (2012). Modeling of altered layer formation during reactive ion etching of GaAs. Applied Surface Science, 263, 626-632. doi:10.1016/j.apsusc.2012.09.123.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0026-E60F-7

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