Ion-induced alkali-silicon interfaces: Atomistic simulations of collisional 
effects

Eckstein, W.; Hou, M.; Shulga, V. I.

doi:10.1016/S0168-583X(96)00635-0

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学術論文

Ion-induced alkali-silicon interfaces: Atomistic simulations of collisional effects

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Eckstein, W.
Surface Science (OP), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Eckstein, W., Hou, M., & Shulga, V. I. (1996). Ion-induced alkali-silicon interfaces: Atomistic simulations of collisional effects. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 119(4), 477-486. doi:10.1016/S0168-583X(96)00635-0.

引用: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0027-8C94-D

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