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Konferenzbeitrag

The Role of Ion Bombardement during Deposition and Etchning in the SiH4H2/S(s) System: A Comparison between Experimental Results and Monte Carlo Computer Simulation

MPG-Autoren
/persons/resource/persons109974

Moeller,  W.
Surface Science (OP), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society;

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Zitation

Ratz, G., Konwitchny, R., Moeller, W., & Veprek, S. (1991). The Role of Ion Bombardement during Deposition and Etchning in the SiH4H2/S(s) System: A Comparison between Experimental Results and Monte Carlo Computer Simulation. In U. Ehlemann, H. G. Lergon, & K. Wiesemann (Eds.), 10th International Symposium on Plasma Chemistry, Symposium Proceedings.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0027-9676-4
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