Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
  Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben
Zeitschriftenartikel

Extension of MNDO to d orbitals: parameters and results for silicon

MPG-Autoren
Es sind keine MPG-Autoren in der Publikation vorhanden
Externe Ressourcen
Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt
Volltexte (beschränkter Zugriff)
Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.
Volltexte (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar
Ergänzendes Material (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar
Zitation

Thiel, W., & Voityuk, A. A. (1994). Extension of MNDO to d orbitals: parameters and results for silicon. Journal of Molecular Structure (Theochem), 313, 141-154. doi:10.1016/0166-1280(94)85037-2.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-1215-B
Zusammenfassung
The MNDO/d method has been parametrized for silicon. Extensive test calculations for a set of standard test molecules indicate significant improvements over MNDO and slight consistent improvements over AM1 and PM3. The mean absolute error in calculated heats of formation is 6.3 kcal mol−1​ for 84 silicon compounds. Comparisons with high-level ab initio results show that MNDO/d preserves this accuracy when treating a large variety of molecules with unusual bonding situations, whereas the established MNDO-type methods without d orbitals suffer from much larger deviations in such cases. Some systematic MNDO/d errors for silicon compounds are documented.