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Zeitschriftenartikel

Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al2O3)

MPG-Autoren
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Hieke,  Stefan Werner
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Dehm,  Gerhard
Structure and Nano-/ Micromechanics of Materials, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Scheu,  Christina Ulrike
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;
Materials Analytics, RWTH Aachen University, Kopernikusstrasse 10, Aachen, Germany;

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Zitation

Hieke, S. W., Dehm, G., & Scheu, C. U. (2017). Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al2O3). Acta Materialia, 140, 355-365. doi:10.1016/j.actamat.2017.08.050.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/21.11116/0000-0000-7341-5
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