Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted 
hBN/graphene/hBN heterostructure device

Schnitzspan, Leo; Tries, Alexander; Klaeui, Mathias

doi:10.1063/5.0016471

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT

Zur Ablage hinzufügen

Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben

Zeitschriftenartikel

Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device

MPG-Autoren

/persons/resource/persons208828

Tries, Alexander
Johannes Gutenberg Univ Mainz, Inst Phys, Mainz, Germany;
Dept. Bonn: Molecular Spectroscopy, MPI for Polymer Research, Max Planck Society;

Externe Ressourcen

Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt

Volltexte (beschränkter Zugriff)

Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.

Volltexte (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar

Ergänzendes Material (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar

Zitation

Schnitzspan, L., Tries, A., & Klaeui, M. (2020). Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device. Journal of Applied Physics, 128(12): 124302. doi:10.1063/5.0016471.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-468C-D

Zusammenfassung

Es ist keine Zusammenfassung verfügbar