Compensation of Oxygen Doping in p-Type Organic Field-Effect Transistors 
Utilizing Immobilized n-Dopants

Barf, Marc‐Michael; Benneckendorf, Frank S.; Reiser, Patrick; Bäuerle, Rainer; Köntges, Wolfgang; Müller, Lars; Pfannmöller, Martin; Beck, Sebastian; Mankel, Eric; Freudenberg, Jan; Jänsch, Daniel; Tisserant, Jean‐Nicolas; Lovrincic, Robert; Schröder, Rasmus R.; Bunz, Uwe H. F.; Pucci, Annemarie; Jaegermann, Wolfram; Kowalsky, Wolfgang; Müllen, Klaus

doi:10.1002/admt.202000556

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Compensation of Oxygen Doping in p-Type Organic Field-Effect Transistors Utilizing Immobilized n-Dopants

MPG-Autoren

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Müllen, Klaus
InnovationLab, Heidelberg, Germany;
Dept. Müllen: Synthetic Chemistry, MPI for Polymer Research, Max Planck Society;

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Zitation

Barf, M., Benneckendorf, F. S., Reiser, P., Bäuerle, R., Köntges, W., Müller, L., et al. (2021). Compensation of Oxygen Doping in p-Type Organic Field-Effect Transistors Utilizing Immobilized n-Dopants. Advanced Materials Technologies, 6(2): 2000556. doi:10.1002/admt.202000556.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-86B1-9

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