Growth and photoluminescence of self-assembled islands obtained during the 
deposition of Ge on a strained SiGe layer

Lobanov, D. N.; Novikov, A. V.; Vostokov, N. V.; Drozdov, Y. N.; Yablonskiy, A. N.; Krasilnik, Z. F.; Stoffel, M.; Denker, U.; Schmidt, O. G.

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Growth and photoluminescence of self-assembled islands obtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer

MPG-Autoren

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Stoffel, M.
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

/persons/resource/persons279884

Denker, U.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Abteilung v. Klitzing, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

/persons/resource/persons280485

Schmidt, O. G.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Scientific Facility Nanostructuring Lab (Jürgen Weis), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Abteilung v. Klitzing, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Zitation

Lobanov, D. N., Novikov, A. V., Vostokov, N. V., Drozdov, Y. N., Yablonskiy, A. N., Krasilnik, Z. F., et al. (2005). Growth and photoluminescence of self-assembled islands obtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer. Optical Materials, 27(5), 818-821.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-F9B5-D

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