Self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots by molecular beam epitaxy and in situ 
AsBr3 etching

Rastelli, A.; Songmuang, R.; Schmidt, O. G.

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Self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots by molecular beam epitaxy and in situ AsBr₃ etching

MPG-Autoren

/persons/resource/persons280417

Rastelli, A.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

/persons/resource/persons280541

Songmuang, R.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

/persons/resource/persons280485

Schmidt, O. G.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Scientific Facility Nanostructuring Lab (Jürgen Weis), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Abteilung v. Klitzing, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Zitation

Rastelli, A., Songmuang, R., & Schmidt, O. G. (2004). Self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots by molecular beam epitaxy and in situ AsBr₃ etching. Physica E, 23, 384-389.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-F5FD-1

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