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Zeitschriftenartikel

Residual impurities in high purity GaAs layers grown by liquid phase epitaxy in H2-Ar atmosphere.

MPG-Autoren
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Czech,  E.
Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Götz,  G.
Department Physical Chemistry of Solids (Joachim Maier), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Cristiani,  G.
Scientific Facility Thin Film Technology (Gennady Logvenov), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Konuma,  M.
Scientific Facility Interface Analysis (Ulrich Starke), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;
Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society;

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Zitation

Czech, E., Götz, G., Cristiani, G., & Konuma, M. (1999). Residual impurities in high purity GaAs layers grown by liquid phase epitaxy in H2-Ar atmosphere. Journal of Crystal Growth, 198-199, 1087-1091.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-DF9E-6
Zusammenfassung
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