Band parameters and strain effects in ZnO and group-III nitrides

Yan, Qimin; Rinke, Patrick; Winkelnkemper, Momme; Qteish, A.; Bimberg, D.; Scheffler, Matthias; Van de Walle, Chris G.

doi:10.1088/0268-1242/26/1/014037

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Band parameters and strain effects in ZnO and group-III nitrides

MPG-Autoren

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Rinke, Patrick
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Winkelnkemper, Momme
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Qteish, A.
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Scheffler, Matthias
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Zitation

Yan, Q., Rinke, P., Winkelnkemper, M., Qteish, A., Bimberg, D., Scheffler, M., et al. (2011). Band parameters and strain effects in ZnO and group-III nitrides. Semiconductor Science and Technology, 26: 014037. doi:10.1088/0268-1242/26/1/014037.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-F712-6

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