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Zeitschriftenartikel

GaAs(001) surface under conditions of low As pressure: Evidence for a novel surface geometry

MPG-Autoren
/persons/resource/persons22064

Scheffler,  Matthias
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Zitation

Lee, S.-H., Moritz, W., & Scheffler, M. (2000). GaAs(001) surface under conditions of low As pressure: Evidence for a novel surface geometry. Physical Review Letters, 85, 3890-3893.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1BDF-9
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