Deutsch
 
Benutzerhandbuch Datenschutzhinweis Impressum Kontakt
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT

Freigegeben

Zeitschriftenartikel

Electronic structure calculation of 3d and 4d transition metal point defects in silicon

MPG-Autoren

Beeler,  F.
Max Planck Society;

/persons/resource/persons22064

Scheffler,  M.
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

Externe Ressourcen
Es sind keine Externen Ressourcen verfügbar
Volltexte (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Volltexte verfügbar
Ergänzendes Material (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar
Zitation

Beeler, F., Andersen, O. K., & Scheffler, M. (1987). Electronic structure calculation of 3d and 4d transition metal point defects in silicon. Proc. 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, 875-878.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-233B-7
Zusammenfassung
Es ist keine Zusammenfassung verfügbar