Liquid phase epitaxy centrifuge for growth of ultra-pure gallium arsenide for 
far infrared photoconductors

Katterloher, R.; Jakob, G.; Konuma, M.; Krabbe, A.; Haegel, N.; Samperi, S. A.; Beeman, J. W.; Haller, E. E.

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Konferenzbeitrag

Liquid phase epitaxy centrifuge for growth of ultra-pure gallium arsenide for far infrared photoconductors

MPG-Autoren

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Katterloher, R.
Optical and Interpretative Astronomy, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society;
Infrared and Submillimeter Astronomy, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society;

/persons/resource/persons16347

Jakob, G.
Infrared and Submillimeter Astronomy, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society;

/persons/resource/persons23364

Konuma, M.
Infrared and Submillimeter Astronomy, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society;

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Zitation

Katterloher, R., Jakob, G., Konuma, M., Krabbe, A., Haegel, N., Samperi, S. A., et al. (2002). Liquid phase epitaxy centrifuge for growth of ultra-pure gallium arsenide for far infrared photoconductors. In M. Strojnik, & B. F. Andresen (Eds.), Infrared Spaceborne Remote Sensing IX (pp. 200-208). Bellingham: SPIE - The International Society for Optical Engineering.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-EB7C-8

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