A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon

Fujita, N.; Jones, R.; Öberg, S.; Briddon, P. R.; Blumenau, A. T.

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT

Zur Ablage hinzufügen

Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben

Zeitschriftenartikel

A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon

MPG-Autoren

/persons/resource/persons125056

Blumenau, A. T.
Atomistic Modelling in Interface Science, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

Externe Ressourcen

Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt

Volltexte (beschränkter Zugriff)

Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.

Volltexte (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar

Ergänzendes Material (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar

Zitation

Fujita, N., Jones, R., Öberg, S., Briddon, P. R., & Blumenau, A. T. (2008). A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon. Solid State Phenomena, 131-133, 259-264.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-4DD0-3

Zusammenfassung

Es ist keine Zusammenfassung verfügbar