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Abstract

Die Anwendung des Rastertunnelmikroskops (Scanning Tunneling Microscope, STM) zum Studium von Metalloberflächen hat sich bis vor kurzem auf den Themenkreis der geometrischen Struktur (z.B. Wachstum, Inselbildung, Rekonstruktion) beschränkt. Dies erscheint etwas seltsam, wenn man bedenkt, daß das STM eigentlich die Ladungsdichte an der Oberfläche abtastet und deshalb für Untersuchungen der elektronischen Struktur geradezu prädestiniert sein sollte. Während tunnelspektroskopische Untersuchungen an Halbleitern schon früh erfolgreich durchgeführt wurden, brachte auf Metallen erst die Verbindung von Tunnelmikroskopie und Tieftemperaturtechnik die zum Nachweis von elektronischen Struktureffekten notwendige Detektionsempfindlichkeit. Der folgende Beitrag beschreibt anhand mehrerer Beispiele, welche Möglichkeiten ein Tieftemperatur-STM für das Studium von Elektronenzuständen an Metalloberflächen und deren Wechselwirkung mit Adsorbaten bietet.