Electronic and structural properties of GaN by the full-potential linear 
muffin-tin orbitals method: The role of the d electrons

Fiorentini, Vincenzo; Methfessel, Michael; Scheffler, Matthias

doi:10.1103/PhysRevB.47.13353

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Electronic and structural properties of GaN by the full-potential linear muffin-tin orbitals method: The role of the d electrons

MPG-Autoren

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Fiorentini, Vincenzo
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Methfessel, Michael
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Scheffler, Matthias
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Zitation

Fiorentini, V., Methfessel, M., & Scheffler, M. (1993). Electronic and structural properties of GaN by the full-potential linear muffin-tin orbitals method: The role of the d electrons. Physical Review B, 47(20), 13353-13362. doi:10.1103/PhysRevB.47.13353.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-21C3-9

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