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  Origin of Temperature-Dependent Ferroelectricity in Si-Doped HfO2

Park, M. H., Chung, C.-C., Schenk, T., Richter, C., Hoffmann, M., Wirth, S., et al. (2018). Origin of Temperature-Dependent Ferroelectricity in Si-Doped HfO2. Advanced Electronic Materials, 4(4): 1700489, pp. 1-8. doi:10.1002/aelm.201700489.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-45DE-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-45E1-3
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Park, Min Hyuk1, Autor
Chung, Ching-Chang1, Autor
Schenk, Tony1, Autor
Richter, Claudia1, Autor
Hoffmann, Michael1, Autor
Wirth, Steffen2, Autor           
Jones, Jacob L.1, Autor
Mikolajick, Thomas1, Autor
Schroeder, Uwe1, Autor
Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22              
2Steffen Wirth, Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863460              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2018-03-242018-03-24
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000430115000005
DOI: 10.1002/aelm.201700489
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Advanced Electronic Materials
  Kurztitel : Adv. Electron. Mater.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Weinheim : Wiley-VCH
Seiten: - Band / Heft: 4 (4) Artikelnummer: 1700489 Start- / Endseite: 1 - 8 Identifikator: ISSN: 2199-160X
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/2199-160X