Oxygen adsorbed In/Si(111)-(4x1)/(8x2): surface transport and and 
impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal

Wippermann, Stefan Martin; Edler, Frederik; Miccoli, Ilio; Demuth, S.; Pfnür, Herbert E.; Lücke, Andreas; Oh, Deok Mahn; Yeom, Han Woong; Schmidt, Wolf Gero; Tegenkamp, C.

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Oxygen adsorbed In/Si(111)-(4x1)/(8x2): surface transport and and impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal

Wippermann, S. M., Edler, F., Miccoli, I., Demuth, S., Pfnür, H. E., Lücke, A., et al. (2015). Oxygen adsorbed In/Si(111)-(4x1)/(8x2): surface transport and and impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal. Poster presented at PSI-K 2015 Conference, San Sebastian, Spain.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-4CB1-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-4D03-B

Genre: Poster

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Urheber:
Wippermann, Stefan Martin¹, Autor
Edler, Frederik², Autor
Miccoli, Ilio², Autor
Demuth, S.³, Autor
Pfnür, Herbert E.², Autor
Lücke, Andreas⁴, Autor
Oh, Deok Mahn⁵, Autor
Yeom, Han Woong⁶, Autor
Schmidt, Wolf Gero⁷, Autor
Tegenkamp, C., Autor

Affiliations:
1Atomistic Modelling, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863350
2Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Appelstrasse 2, Hannover, Germany, ou_persistent22
3Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover, Germany, ou_persistent22
4Lehrstuhl für Theoretische Physik, Universität Paderborn, Paderborn, Germany, ou_persistent22
5Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, South Korea, ou_persistent22
6Department of Physics, Pohang University of Science and Techonlogy, 77 Cheongam-Ro, Pohang 790-784, South Korea, ou_persistent22
7Lehrstuhl für Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, Germany, ou_persistent22