Growth process, characterization and optoelectronic properties of InAsSbP 
dot-pit cooperative nanostructures

Marquardt, O.; Gambaryan, K. M.; Aroutiounian, V. M.; Hickel, T.; Neugebauer, J.

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Growth process, characterization and optoelectronic properties of InAsSbP dot-pit cooperative nanostructures

Marquardt, O., Gambaryan, K. M., Aroutiounian, V. M., Hickel, T., & Neugebauer, J. (2010). Growth process, characterization and optoelectronic properties of InAsSbP dot-pit cooperative nanostructures. Talk presented at VCIAN 2010. Santorini, Greece. 2010-06-21 - 2010-06-25.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-38B0-3 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-38B2-0

資料種別: 講演

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Marquardt, O.¹, 著者
Gambaryan, K. M., 著者
Aroutiounian, V. M., 著者
Hickel, T.¹, 著者
Neugebauer, J.², 著者

所属:
1Computational Phase Studies, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863341
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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言語: eng - English

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