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  Depth Profiling of D Implanted into Ti at Different Temperatures

Roth, J., Eckstein, W., & Bohdansky, J. (1980). Depth Profiling of D Implanted into Ti at Different Temperatures. Ion Beam Modification of Materials, 48, 1679-1695.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-C29D-9 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-C29E-7
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Roth, J.1, Autor           
Eckstein, W.1, Autor           
Bohdansky, J.1, Autor           
Affiliations:
1Surface Science (OP), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856288              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1980
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Ion Beam Modification of Materials
Veranstaltungsort: Budapest(HU)
Start-/Enddatum: 1978-09-04 - 1978-09-08

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Ion Beam Modification of Materials
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 48 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1679 - 1695 Identifikator: -