Selective-area growth of GaN nanowires on SiO2-masked Si (111) substrates by 
molecular beam epitaxy

Kruse, J. E.; Lymperakis, Liverios; Eftychis, S.; Adikimenakis, A.; Doundoulakis, G.; Tsagaraki, K.; Androulidaki, M.; Olziersky, A.; Dimitrakis, P.; Ioannou-Sougleridis, V.; Normand, P.; Koukoula, T.; Kehagias, Th.; Komninou, Ph.; Konstantinidis, G.; Georgakilas, A.

doi:10.1063/1.4953594

Selective-area growth of GaN nanowires on SiO₂-masked Si (111) substrates by molecular beam epitaxy

Kruse, J. E., Lymperakis, L., Eftychis, S., Adikimenakis, A., Doundoulakis, G., Tsagaraki, K., Androulidaki, M., Olziersky, A., Dimitrakis, P., Ioannou-Sougleridis, V., Normand, P., Koukoula, T., Kehagias, T., Komninou, P., Konstantinidis, G., & Georgakilas, A. (2016). Selective-area growth of GaN nanowires on SiO₂-masked Si (111) substrates by molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 119(22):. doi:10.1063/1.4953594.

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資料種別: 学術論文

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Kruse, J. E.^{1, 2}, 著者
Lymperakis, Liverios³, 著者
Eftychis, S.¹, 著者
Adikimenakis, A.², 著者
Doundoulakis, G.^{1, 2}, 著者
Tsagaraki, K.², 著者
Androulidaki, M.², 著者
Olziersky, A.⁴, 著者
Dimitrakis, P.⁴, 著者
Ioannou-Sougleridis, V.⁴, 著者
Normand, P.⁴, 著者
Koukoula, T.⁵, 著者
Kehagias, Th.⁵, 著者
Komninou, Ph.⁵, 著者
Konstantinidis, G.², 著者
Georgakilas, A.¹, 著者

所属:
1Univ Crete, Dept Phys, POB 2208, Iraklion 71003, Greece, ou_persistent22
2Fdn Res & Technol Hellas, Inst Elect Struct & Laser, N Plastira 100, Iraklion 70013, Greece, ou_persistent22
3Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863344
4NCSR Demokritos, Inst Nanosci & Nanotechnol, Patriarchou Grigoriou & Neapoleos 27, Athens 15310, Greece, ou_persistent22
5Aristotle Univ Thessaloniki, Dept Phys, Thessaloniki 54124, Greece, ou_persistent22

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言語: eng - English

日付: 出版: 2016-06-14

出版の状態: 出版

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査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1063/1.4953594

学位: -

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出版物名: Journal of Applied Physics

省略形 : J. Appl. Phys.

種別: 学術雑誌

著者・編者:

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出版社, 出版地: New York, NY : AIP Publishing

ページ: - 巻号: 119 (22) 通巻号: 224305 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0021-8979
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/991042723401880

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