Selective-area growth of GaN nanowires on SiO2-masked Si (111) substrates by 
molecular beam epitaxy

Kruse, J. E.; Lymperakis, Liverios; Eftychis, S.; Adikimenakis, A.; Doundoulakis, G.; Tsagaraki, K.; Androulidaki, M.; Olziersky, A.; Dimitrakis, P.; Ioannou-Sougleridis, V.; Normand, P.; Koukoula, T.; Kehagias, Th.; Komninou, Ph.; Konstantinidis, G.; Georgakilas, A.

doi:10.1063/1.4953594

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Selective-area growth of GaN nanowires on SiO₂-masked Si (111) substrates by molecular beam epitaxy

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Lymperakis, Liverios
Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Kruse, J. E., Lymperakis, L., Eftychis, S., Adikimenakis, A., Doundoulakis, G., Tsagaraki, K., et al. (2016). Selective-area growth of GaN nanowires on SiO₂-masked Si (111) substrates by molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 119(22): 224305. doi:10.1063/1.4953594.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-23AE-B

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